Archive for febrero, 2009

Canales y tramas de las comunicaciones móviles, parte 2

Seguramente algunos términos que habréis visto en la anterior entrada (time-slot, ráfaga…) no os han quedado claros. Pero no pasa nada, porque para eso está la segunda parte, donde vamos a hablar un poco sobre las tramas empleadas en comunicaciones móviles, centrándonos en las así llamadas ráfagas.

Tramas

En comunicaciones móviles, cada portadora contiene tramas de 8 intervalos llamados time-slots (TS), numerados del 0 al 7, cada uno de 577 μs (unos 156’25 bits por TS si la portadora de RF modulada va a una velocidad de 270’838 Kbps). ), con acceso múltiple por división de tiempo (TDMA, Time Division Multiple Access). Cada canal físico transporta canales lógicos de tráfico y señalización.

Las tramas se pueden agrupar de diversas formas:

  • Multitrama: puede agrupar 26 ó 51 tramas, cada una con 8 intervalos.
  • Supertrama: agrupa 1326 tramas (51 multitramas de 26 ó 26 multitramas de 51).
  • Hipertrama: agrupa 2715648 tramas (2048 supertramas).

Como nota curiosa, las tramas se numeran referidas a la hipertrama.

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27 febrero 2009 at 14:33 2 comentarios

Canales y tramas de las comunicaciones móviles, parte 1

Ya que he empezado hablando un poco de comunicaciones móviles, creo que no es mal momento para seguir con ello. Esta vez iremos con los canales y las tramas que hay en las comunicaciones móviles… Empezaremos con los canales y el viernes iremos con las tramas.

En comunicaciones móviles, nos encontramos con dos tipos de canales: los canales de tráfico (TCH) y los canales de control (CCH). Los primeros se caracterizan por ser los canales donde pasará la información en sí, y no hay mucho que contar de ellos; los segundos, como su nombre indica, se encargarán de que todo vaya según lo previsto y están bastante más diferenciados.

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25 febrero 2009 at 16:46 1 comentario

Breve introducción a la red de telefonía móvil

Siento poner esta entrada tan tarde, pero hasta hace poco no tenía conexión a Internet… Tampoco he tenido tiempo para prepara algo en condiciones, así que aquí os dejo una pequeña introducción sobre la estructura de las redes de telefonía móvil que dimos a principios de este último curso. Tomadlo como una pequeña curiosidad…

Como ya sabréis, un número de teléfono fijo tiene asociado una determinada localización (fija, de ahí que sea “telefonía fija”), pero con la telefonía móvil, esa asociación del número se hace con una persona, la propietaria de dicho teléfono. Lo que no sé si sabéis es que la red de telefonía móvil se conoce a través de sus siglas en inglés PLMN (Public Land Mobile Network), mientras que para la telefonía fija las siglas son PSTN (Public Switched Telephone Network).

Pues bien, aquí tenemos el esquema (simplificado) de lo que es la red de telefonía móvil:

Pulsa para ver más grande

Pulsa para ver más grande

Como veis, hay tres siglas en la parte inferior: MS, BSS y NSS. Son las siglas correspondientes a estación móvil (Mobile Station), subsistema de estación base (Base Station Subsystem) y subsistema de red y conmutación (Network & Switching Subsystem), respectivamente. Éstas son las partes en que se puede dividir la red de telefonía móvil.

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23 febrero 2009 at 21:26 4 comentarios

Parámetros S y Carta de Smith, parte 3

Es bonito hablar de la Carta de Smith, pero ¿de qué sirve la teoría si no puedes aplicarla a la práctica? Por eso os pongo aquí un pequeño ejemplo de cómo usar la Carta de Smith en un caso concreto: la adaptación de impedancias. Es candidata a pregunta de examen en las asignaturas donde la veáis, ya sea explicar la adaptación de impedancias o que hagas esa adaptación para un determinado concepto.

Supongamos que tenemos una línea de transmisión y nos dicen que para unos valores de Z0 y de ZL, adaptemos la impedancia de carga ZL utilizando la Carta de Smith para ello. Entonces seguiremos una serie de pasos:

  1. Se normaliza la impedancia. Para ello, se divide su valor por el de la impedancia característica de la línea de transmisión (Z0).
  2. Una vez obtenida la impedancia normalizada, se representa en la carta de Smith siguiendo los círculos de resistencia (parte real) y de reactancia (parte imaginaria) constantes. Los circuitos equivalentes resultantes serán dos dependiendo de la posición del punto obtenido en la carta de Smith:
    * Si queda dentro del círculo de parte real 1, tendremos una reactancia (jX) en paralelo con una susceptancia (jB), la cual a su vez está en paralelo con la impedancia (ZL).
    * Si queda fuera del círculo de parte real 1, tendremos una susceptancia (jB) en paralelo con una reactancia (jX), la cual a su vez está en serie con la impedancia (ZL).
  3. Una vez representada, se obtiene la admitancia, trazando el punto diametralmente opuesto al de la impedancia que teníamos.
  4. Se desplaza la admitancia hasta cortar el círculo unidad de la carta de Smith de admitancias. Con este primer desplazamiento, obtenemos el primer elemento.
  5. Se obtiene el punto diametralmente opuesto a éste, con lo que nos daría un punto que corta el círculo unidad de la carta de Smith de impedancias.
  6. Se desplaza el nuevo punto hasta llegar al centro de la carta de Smith (parte real = 1, parte imaginaria = 0), completando la adaptación. Con este primer desplazamiento, obtenemos el segundo elemento.

Vistos estos pasos vamos con un ejemplo para verlo en la práctica…

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20 febrero 2009 at 16:50 17 comentarios

Parámetros S y Carta de Smith, parte 2

Ya hemos visto lo que son, en teoría, los parámetros S y qué significan. Pero ¿qué más podemos decir sobre ellos? Y la Carta de Smith… ¿qué es y cómo se ha llegado hasta ella?

Ya hemos hablado del porqué de los parámetros S y lo que representan cada uno:

  • S11 es el coeficiente de reflexión a la entrada, con la salida terminada en carga adaptada.
  • S22 es el coeficiente de reflexión a la salida con la entrada terminada en carga adaptada.
  • S12 es la ganancia de transmisión directa con la salida terminada en carga adaptada.
  • S21 es la ganancia de transmisión inversa, con la entrada terminada en carga adaptada.

Ahora bien, estos parámetros S nos indican también propiedades de la red bipuerto:

  • Sin reflexión: S11 = 0
  • Reflexión total: S11 = ±1
  • Pérdidas infinitas: S21 = 0
  • Red sin pérdidas (ganancia unitaria): S21 = 1
  • Red unilateral: S12 = 0
  • Red recíproca: Ofrece el mismo comportamiento en sentido directo que en sentido inverso de la transmisión. En ese caso, la matriz de parámetros S será simétrica (¡ojo!, no hay que confundirlo con circuito simétrico).
  • Red pasiva: No introduce ganancia y el módulo de todos los elementos de la matriz de parámetros S es menor o igual que 1 ( |Sij| ≤ 1, para todo i,j).
  • Red sin pérdidas: La suma de las potencias incidentes es igual a la suma de las potencias reflejadas. Esto se traduce en que la matriz de parámetros S es unitaria (es decir, el producto de la matriz traspuesta S por la conjugada de la matriz S es igual a la matriz unidad: [S ]t [S ]*= [U]).

Para más propiedades sobre las matrices, podéis echar un vistazo en la ¿infame? Wikipedia.

Y creo que como pequeño  resumen sobre parámetros S está bien, así que movámonos a la otra materia…

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18 febrero 2009 at 16:41 8 comentarios

Parámetros S y Carta de Smith, parte 1

Esta semana hablaré un poco de parámetros S y la carta de Smith, algo que dimos en su momento en la asignatura Transmisión por Soporte Físico y que me parece interesante compartir.

Seguramente más de uno sepa lo que son los parámetros usados en los circuitos, tales como los de impedancia (parámetros Z), los de admitancia (parámetros Y) o los de transmisión (parámetros ABCD). Esto se hace en baja frecuencia, donde la longitud de onda de la señal es mucho mayor que los elementos circuitales (resistencias, inductores y capacitores, los circuitos típicos RLC) y donde es fácil caracterizar el circuito a través de tensiones y corrientes (recordemos las Leyes de Kirchhoff, por ejemplo).

En un circuito definido como una red de dos puertos (bipuerto):

* Los parámetros Z dan las tensiones del circuito en función de las corrientes. Cada parámetro se obtiene midiendo la tensión en un puerto dejando todos los demás menos uno en circuito abierto (corriente 0). En la conexión de circuitos en serie, los parámetros Z se suman.

* Los parámetros Y dan las corrientes del circuito en función de las tensiones. Cada parámetro se obtiene midiendo la corriente en un puerto dejando todos los demás menos uno en cortocircuito (tensión 0). En la conexión de circuitos en paralelo, los parámetros Y se suman.

* Los parámetros ABCD caracterizan la tensión y corriente del puerto 1 en función de la tensión y la corriente del punto 2, jugando con cortocircuitos y circuitos abiertos para obtener los parámetros. En la conexión de circuitos en cascada, los parámetros ABCD se suman.

Pero, ¿qué pasaría si en vez de trabajar a bajas frecuencias lo hacemos a altas frecuencias? Supongamos que estamos en microondas (3 a 300 GHz). A semejantes frecuencias, la longitud de onda de la señal es muy pequeña, con un tamaño similar al de los componentes circuitales (a mayor frecuencia f, menor longitud de onda λ). En ese momento, trabajar con tensiones y corrientes resulta difícil, ya que no es posible hacer cortocircuitos y circuitos abiertos estables dependiendo de la frecuencia en la que estemos.

Es por eso que recurrimos en este caso a otros parámetros. Los llamados parámetros de dispersión, los parámetros S.

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16 febrero 2009 at 17:10 10 comentarios

OSI

Ya comenté en la entrada anterior que un compañero mío de clase habló del modelo OSI a la hora de comparar la situación Teleco-Informática. Pero bueno, ya he hablado bastante del problema entre Ingenierías, pero seguro que alguno que no conoce el modelo OSI se pregunta qué es eso.

Advierto que no voy a explayarme en cada nivel del modelo ya que pretendo que esto esté un poco más orientado a gente que todavía no ha visto el modelo y tenga una idea de qué es lo que representa exactamente.

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13 febrero 2009 at 16:30 Deja un comentario

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